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核心器件

薄膜铌酸锂电光调制器

技术就绪度 TRL
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薄膜铌酸锂电光调制器集成光子

概述

基于薄膜铌酸锂(LiNbO₃)平台的高性能电光调制器,具备超宽带(>100GHz)、低半波电压(<2V)、小尺寸等优势

详细内容

薄膜铌酸锂调制器利用铌酸锂晶体的电光效应,通过薄膜工艺将传统体材料厚度降至数百纳米,实现紧凑的脊波导结构。主要性能指标:3dB带宽>100GHz,Vπ<2V·cm,插损<3dB,芯片尺寸<5mm×5mm。当前TRL约5-6级,已在实验室完成多种雷达架构验证。

关键里程碑

2023: 清华大学实现100GHz调制器;2024: 多团队完成雷达链路验证

更新于 2026-05-17 10:07:25